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还在寻找一颗能兼顾高效率与高可靠性的高压开关管吗？STP16N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和12A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与优化的动态参数，能显著降低开关电源和电机驱动中的功率损耗，让您的系统效率轻松攀上新高峰。

它能让您在设计大功率适配器、工业电源或照明驱动时，从容应对高压切换，确保系统稳定运行。优异的栅极电荷特性让驱动设计更简单，而TO-220封装则提供了强大的散热能力。选择STP16N65M5，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STP16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。