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您正在设计需要处理庞大电流的汽车电源或工业控制系统吗？STH300NH02L-6正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达180A的连续电流，而其核心魅力在于超低的1.2毫欧导通电阻，这能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升整个系统的能源利用效率，让您的设备运行更“冷静”、更持久。

这颗芯片基于意法半导体成熟的STripFET III技术打造，并满足严苛的汽车级AEC-Q101标准。它采用散热性能优异的HPAK封装，确保在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是用于高效的同步整流，还是作为关键的大电流负载开关，它都能提供快速、可靠的响应，让您的产品在可靠性和性能上建立起决定性的优势。

• 型号:STH300NH02L-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7050 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH300NH02L-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。