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您正在寻找一颗能扛起高效功率转换重任的核心开关器件吗？STF7N60M2 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它凭借600V的高耐压和5A的电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或照明系统时信心十足，轻松应对各种高压环境。

这颗芯片的核心魅力在于其采用的MDmesh II Plus技术，它实现了导通电阻与开关性能的卓越平衡。极低的栅极电荷让开关速度更快，损耗显著降低，从而帮助您的系统整体运行更高效、更凉爽。无论是提升能效还是优化散热，它都能让您的产品脱颖而出。

• 型号:STF7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。