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STD15P6F6AG 零件图片(仅供参考)

STD15P6F6AG
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STD15P6F6AG 规格参数

您是否希望为您的电源管理或电机驱动应用找到一颗既能扛住高压大电流,又能保持冷静高效的“心脏”?STD15P6F6AG正是这样一款卓越的P沟道MOSFET。它基于意法半导体先进的STripFET F6技术打造,拥有60V的耐压和10A的连续电流能力,其超低的160毫欧导通电阻,能显著减少功率损耗,让您的系统运行更节能、发热更少。

这颗芯片的卓越之处在于其快速开关特性与坚固耐用的品质。极低的栅极电荷确保它能够轻松应对高频开关需求,提升整体转换效率。同时,它符合汽车级AEC-Q101标准,能在高达175°C的结温下稳定工作,为您在汽车电子或严苛工业环境中的设计提供了坚实的可靠性保障。选择它,就是为您的产品选择了高效、可靠与持久的卓越性能。

  • 型号:STD15P6F6AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):160 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):340 pF @ 48 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):35W(Tc)
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD15P6F6AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD15P6F6AG 基本参数:

  • 电子零件型号:STD15P6F6AG
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD15P6F6AG的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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