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还在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STP15NM65N正是为您的高要求应用量身打造。它集成了ST先进的MDmesh II技术，拥有650V的高耐压和12A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，能显著降低导通损耗，提升整体能效，同时确保系统运行更凉爽、更可靠。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对严苛的工业环境，其低至380毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，直接助力您的产品实现更高功率密度和更长使用寿命。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代高效能解决方案，选择STP15NM65N，就是选择了一份稳健与高效。

• 型号:STP15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。