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还在寻找那颗能同时征服效率与功率密度的“全能战士”吗？STL160N4F7正是为您而来。这颗基于STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达120A的电流处理能力，其核心魅力在于仅2.5毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

更令人振奋的是，其优化的栅极电荷和开关特性，让您能轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，提升整体功率密度。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STL160N4F7都能以卓越的性能和可靠性，助您轻松应对设计挑战，将产品性能推向新的高度。

• 型号:STL160N4F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:111W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL160N4F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。