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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效，并拥有紧凑身形的功率开关解决方案？STL6NM60N正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的MDmesh II技术，能够轻松应对高达600V的电压和5.75A的连续电流，其低至920毫欧的导通电阻和优化的动态参数，直接为您带来更低的能量损耗和更高的工作效率。

它能让您的电源转换系统运行得更凉爽、更安静，显著提升整体能效。采用节省空间的PowerFLAT封装，它不仅性能强劲，还能帮助您实现更紧凑、更优雅的电路板布局。选择STL6NM60N，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“动力核心”。

• 型号:STL6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL6NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。