我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP15NM60ND现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起高压大电流重任的“硬核”开关吗？STP15NM60ND正是为您而来！这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和14A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动等高压功率电路时信心十足。

它的核心价值在于高效与可靠。极低的导通电阻（最大299mΩ）意味着更小的导通损耗，直接为您节省能源、降低温升；而优化的栅极电荷特性则助力实现更快的开关速度，提升系统整体响应效率。经典的TO-220AB封装兼顾了出色的散热与便捷的安装，助您轻松构建稳定、高效的功率转换解决方案。

• 型号:STP15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。