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您正在寻找一颗能同时驾驭高功率、高效率和卓越可靠性的开关器件吗？STGWA60H65DFB正是为您而来的答案。这颗650V/60A的沟槽场截止IGBT，凭借其低至2V的导通压降和优化的开关能量，能显著降低系统损耗，让您的电机驱动、电源或逆变器产品运行得更凉、更静、能效更高。

它拥有高达80A的连续电流和240A的脉冲电流能力，配合375W的强大功率处理上限，确保您轻松应对各种严苛的负载挑战。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则赋予了它无与伦比的环境适应性。选择它，就是为您的设计注入一份坚实的性能保障与效率提升。

• 型号:STGWA60H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:1.59mJ（导通），900J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:66ns/210ns
• 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA60H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。