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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP15N60M2-EP正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，核心采用ST先进的MDmesh M2-EP技术，能显著降低导通和开关损耗。

它能让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更高效、更凉爽。极低的栅极电荷确保快速开关，减少能量浪费；优异的导热封装（TO-220）则助力散热，保障系统长期稳定运行。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的双重保障。

• 型号:STP15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。