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您是否希望为您的电源或电机驱动方案找到一个既能承载大电流，又能将能量损耗降至最低的“高效心脏”？STP150N10F7正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达110A的连续漏极电流能力，专为应对高功率挑战而设计。

它的核心价值在于其超低的导通电阻（典型值仅4.2毫欧@55A,10V），能显著减少开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。同时，优化的栅极电荷特性有助于实现更快的开关速度，进一步提升整体能效。无论是用于提升电源转换效率，还是增强电机驱动的响应能力，它都能让您的设计轻松实现性能飞跃，并确保在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作。

• 型号:STP150N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP150N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。