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还在为电路板空间紧张而发愁吗？STL20DN10F7就是您的高密度电源解决方案专家。这颗双N沟道MOSFET将两个高性能开关集成在超薄的PowerVDFN封装内，让您轻松实现紧凑布局下的强大功率控制。

它凭借100V的耐压和20A的电流能力，能高效担当电机驱动、电源开关和DC-DC转换的核心角色。其67毫欧的低导通电阻和7.8nC的低栅极电荷，意味着更低的开关损耗和更高的运行效率，直接帮助您提升系统整体性能并优化热管理。选择它，就是选择用更少的空间，创造更多的可能。

• 型号:STL20DN10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408pF @ 50V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL20DN10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。