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您是否渴望为您的电源或电机驱动项目找到一颗动力澎湃且高效节能的“心脏”？STP120NF04正是这样一款能担此重任的N沟道功率MOSFET。它基于意法半导体先进的STripFET II技术打造，拥有40V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，让您轻松驾驭中高功率应用场景。

这颗芯片的核心优势在于其极低的5毫欧导通电阻，这能显著减少导通状态下的功率损耗，将更多电能高效地传递给负载，从而降低系统发热，提升整体能效。同时，其优化的动态参数有助于实现更快的开关速度，进一步提升频率响应和转换效率。无论是用于DC-DC转换器、电机控制器还是各类电源模块，STP120NF04都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、性能更可靠。

• 型号:STP120NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP120NF04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。