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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP120N4F6正是为您而来！这颗来自ST意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅4.3毫欧@10V）。这意味着它能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让能量传输更直接、更纯净。

得益于先进的DeepGATE技术，它实现了更优的栅极控制，开关速度快，驱动简单。无论是用于高效的DC-DC转换、强劲的电机控制，还是可靠的负载开关，STP120N4F6都能让您的设计轻松应对高电流挑战，同时确保系统运行更凉爽、更稳定。选择它，就是为您的产品选择了高效与可靠的双重保障。

• 型号:STP120N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP120N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。