我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STV160NF03LAT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高电流应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STV160NF03LAT4正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有高达160A的连续电流处理能力和仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET技术和PowerSO封装，不仅功率密度高，节省宝贵的PCB空间，更能承受高达175°C的结温，确保在恶劣环境下稳定工作。无论是驱动电机、管理电池还是构建高密度电源，它都能让您轻松实现高性能、高可靠性的设计目标，是工程师应对严苛功率挑战的得力助手。

• 型号:STV160NF03LAT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV160NF03LAT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。