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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP75NF68正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有68V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接提升您的系统整体效率。

它能让您轻松应对电机驱动、电源转换等应用中的严苛挑战。优异的开关特性配合TO-220封装良好的散热性能，确保设备在-55°C至175°C的宽温范围内稳定工作，大大增强了设计的可靠性。选择它，就是为您的产品注入高效、持久的动力核心。

• 型号:STP75NF68
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 80A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP75NF68，ST（意法半导体）产品一站式供应商。