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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高电压、大电流和出色效率的功率开关？STP11NM60FDFP正是您的理想答案。这颗基于先进FDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和11A电流处理能力，其核心价值在于让您的设计事半功倍。

它凭借极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态参数，能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。这意味着更少的能量浪费、更低的发热量以及更紧凑的散热设计，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。无论是开发新一代开关电源、工业电机控制器还是高效照明系统，它都能为您提供坚实而高效的功率转换核心。

• 型号:STP11NM60FDFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP11NM60FDFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。