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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心动力”吗？STP11N65M5正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh V技术的650V/9A MOSFET，专为降低开关损耗和导通损耗而优化，它能显著提升您的开关电源、PFC或电机驱动应用的整机效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

它凭借低至480毫欧的导通电阻和优化的动态特性，让您轻松实现更快的开关频率和更低的温升，从而简化散热设计，提升系统功率密度。高达150°C的结温工作能力和坚固的TO-220封装，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。选择STP11N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 型号:STP11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。