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还在为高压大电流开关电路的选择而犹豫吗？让IRF630来为您解决核心难题！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V的耐压和9A的持续电流能力，能轻松担当起您系统中功率转换与控制的“指挥官”。

它采用先进的MESH OVERLAY II技术，导通电阻低至400毫欧，栅极电荷小，这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。其坚固的TO-220AB封装确保了出色的散热和可靠的连接，无论是工业控制还是消费电子，都能让您的设计性能稳定，事半功倍。

• 型号:IRF630
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF630，ST（意法半导体）产品一站式供应商。