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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压开关管吗？STP10NM60ND正是为您而生的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和8A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或PFC电路时信心倍增。

它的核心价值在于卓越的效率。低至600毫欧的导通电阻和优化的动态参数，能显著降低开关损耗和传导损耗，直接帮助您的系统提升能效、减少发热。同时，其坚固的TO-220封装和宽工作温度范围，确保了在各类复杂应用环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STP10NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:577 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。