我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STG3P2M10N60B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为构建紧凑型三相驱动电路而烦恼吗？让STG3P2M10N60B来简化您的工作！这颗来自ST意法半导体的IGBT模块，集成了完整的三相反相器桥路，为您省去多个分立器件选型和布局的麻烦，让系统集成度大幅提升，设计周期显著缩短。

它拥有600V的耐压和19A的电流处理能力，配合仅2.5V的低导通压降，能帮助您实现高效的电能转换，有效降低系统运行中的热量产生。其坚固的SEMITOP2封装确保了出色的散热和机械可靠性，让您的产品在-40°C至150°C的严苛环境下也能稳定工作。无论是驱动电机还是管理功率，它都能让您轻松应对，高效达成设计目标。

• 型号:STG3P2M10N60B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SEMITOP2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:19 A
• 功率 - 最大值:56 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):720 pF @ 25 V
• 输入:单相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:无
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:SEMITOP2
• 供应商器件封装:SEMITOP2
• STG3P2M10N60B，ST（意法半导体）产品一站式供应商。