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还在为高压半桥驱动的设计与调试耗费大量精力吗？让L6571B来改变这一切！这颗来自ST意法半导体的高性能栅极驱动器，核心使命就是让您轻松、高效地驾驭高压功率开关。

它集成了两个同步通道，专为驱动半桥结构中的IGBT和N沟道MOSFET而优化。凭借10V至16.6V的宽范围供电电压、高达600V的自举能力以及强劲的峰值输出电流，它能确保您的功率器件在各种工况下都获得精准、快速的开关信号。这意味着您可以大幅简化外围电路，提升系统可靠性，并有效降低开关损耗，最终让您的电源或电机驱动方案运行得更稳定、更节能、更具竞争力。

• 制造商产品型号：L6571B
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：管件
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：半桥
• 通道类型：同步
• 驱动器数：2
• 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：10V ~ 16.6V
• 逻辑电压-VIL，VIH：-
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：170mA，270mA
• 输入类型：RC 输入电路
• 高压侧电压-最大值（自举）：600V
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 产品封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
• L6571B，ST（意法半导体）产品一站式供应商。