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STP10N95K5 零件图片(仅供参考)

STP10N95K5
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STP10N95K5 规格参数

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高效节能的功率开关核心吗?STP10N95K5正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET,拥有950V的高耐压和8A的强电流处理能力,旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更稳定、更凉爽、更高效。

它的卓越之处在于,能将导通电阻降至仅800毫欧,显著减少导通损耗,直接提升系统整体能效。同时,优化的动态参数让开关过程快速而干净,进一步降低开关损耗。无论是构建紧凑型适配器、工业电源,还是高可靠性UPS,STP10N95K5都能以出色的性能和TO-220封装的便利性,助您轻松实现设计目标,打造更具市场竞争力的产品。

  • 型号:STP10N95K5
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):950 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):800 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):630 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):130W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • STP10N95K5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STP10N95K5 基本参数:

  • 电子零件型号:STP10N95K5
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 950V 8A TO220
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STP10N95K5的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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