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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V中压环境、同时保持高效与可靠的功率开关吗？STD3NK600ZD正是为您而来！这颗采用先进SuperFREDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有2.4A的连续电流能力，能显著降低开关电源、电机控制等应用中的导通损耗，让您的系统能效大幅提升。

它具备低至3.6欧姆的导通电阻和优化的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。表面贴装的DPAK封装让您能高效布局，节省宝贵的电路板空间。无论是应对严苛的工业温度，还是追求紧凑的家电设计，它都能让您的产品运行更稳定、更节能，助您轻松打造出更具市场竞争力的电源解决方案。

• 型号:STD3NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NK60ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。