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您正在为电源设计寻找一颗动力强劲且高效节能的“心脏”吗？STI23NM60N正是您理想的答案。这颗来自ST意法半导体MDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和19A的连续电流能力，能轻松担当起开关电源、电机驱动等应用中的核心开关角色。

它的核心价值在于让您的系统运行更高效、更凉爽。其180毫欧的低导通电阻大幅降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（仅60nC）则确保了快速的开关切换，从而整体提升能效。采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，结温高达150°C，让您即使在严苛环境下也能安心设计，构建出稳定可靠的功率转换方案。

• 型号:STI23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI23NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。