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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STB20NM50FDT4正是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的高压耐受能力和20A的强大电流承载实力，专为要求严苛的功率应用而生。其核心价值在于，它能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

得益于先进的FDmesh技术，它实现了极低的导通电阻与优化的开关特性。这意味着，在电机驱动、电源转换或照明镇流器等场景中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少热量产生，从而简化散热设计，增强系统长期运行的可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠的心脏。

• 型号:STB20NM50FDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20NM50FDT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。