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还在为空间有限的PCB板上难以实现高效大电流开关而发愁吗？STL9N3LLH5就是您的理想解决方案！这颗采用PowerFlat封装的N沟道MOSFET，在仅3.3x3.3毫米的迷你身躯内，集成了30V耐压和9A的强劲电流处理能力，让您轻松驾驭各种DC-DC转换、电机驱动和负载开关应用。

它的核心魅力在于极致的效率。凭借低至19毫欧的导通电阻和仅5nC的栅极电荷，它能显著降低开关损耗和导通损耗，直接为您提升系统整体能效，延长电池续航。同时，其优异的封装散热设计，确保在高功率运行时依然保持冷静，大幅提升了系统的长期可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且可靠的心脏。

• 型号:STL9N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL9N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。