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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的“核心引擎”吗？STW56NM60N正是这样一款专为 demanding 应用设计的N沟道功率MOSFET。它拥有600V的耐压和45A的连续电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时，对功率等级充满信心。

这颗芯片能为您做什么？它凭借先进的MDmesh II技术，实现了极低的导通电阻（仅60毫欧），这意味着在导通状态下的能量损耗被大幅削减，直接提升了系统的整体能效，并减轻了散热设计的压力。同时，其优化的动态参数（如栅极电荷）让开关过程更加干净利落，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。

总而言之，STW56NM60N旨在让您的设计更高效、更可靠。它用强悍的性能和稳健的表现，帮助您轻松应对高电压、大电流的挑战，是打造下一代高性能电力电子设备的理想选择。

• 型号:STW56NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 45A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。