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这颗芯片能为您做什么？它就像一位高效的“电能守门员”。在高达60V、36A的应用场景中，它能以极快的速度、极小的损耗控制大电流的通断。其优化的动态参数让开关动作干净利落，帮助您轻松提升系统整体能效，并简化外围驱动设计。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STL8N6F7都能让您的产品性能脱颖而出，在激烈的市场竞争中占据能效制高点。

• 型号:STL8N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。