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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关而烦恼吗？STW160N75F3正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有75V耐压和高达120A的连续电流能力，其核心魅力在于仅4毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对严苛的功率切换任务，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能帮助您提升开关频率，简化驱动设计。无论是用于提升现有方案的能效，还是为高密度设计注入强劲动力，STW160N75F3都能让您以更少的发热换取更大的输出功率，是实现高性能、高可靠性电力转换的得力助手。

• 型号:STW160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW160N75F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。