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还在为寻找一颗既能扛住高压大电流，又能塞进紧凑空间的功率开关而烦恼吗？让STL8N10LF3来为您排忧解难！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集100V耐压与20A持续电流能力于一身，专为要求严苛的高效功率转换而设计。

它的核心使命，就是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。凭借先进的STripFET III技术和低至35毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，将更多电能精准送达负载，直接提升整体能效并减少热管理压力。同时，其极低的栅极电荷和优化的开关特性，让您能够轻松提升开关频率，从而使用更小的外围电感电容，实现更高功率密度的设计。

无论是汽车电子、工业电源还是高密度服务器模块，选择STL8N10LF3，就是选择了一颗经过AEC-Q101车规认证的可靠心脏。它让您轻松应对高可靠性与高性能的双重挑战，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STL8N10LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:970 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.3W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N10LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。