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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的中压功率开关？STD5N60M2正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V/3.5A的强劲规格，专为提升您的电源系统性能而生。

它采用先进的MDmesh II Plus技术，为您带来极低的1.4欧姆导通电阻和仅8.5nC的栅极电荷。这意味着它能大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换效率显著提升，运行更凉爽、更节能。同时，快速的开关特性让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。

无论是开关电源、电机驱动还是照明镇流器，STD5N60M2都能以DPAK表面贴装封装，为您提供稳定可靠的功率处理核心，让您的产品设计更紧凑，生产更高效。

• 型号:STD5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:211 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。