我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL8DN6LF6AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能承载大电流又足够紧凑的双MOSFET而烦恼吗？STL8DN6LF6AG正是为您解忧的利器。这颗来自意法半导体汽车级STripFET系列的双N沟道MOSFET，集60V耐压与32A强劲电流能力于一身，其超低的导通电阻（仅27毫欧）能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFLAT封装，让您在高功率设计中也能轻松实现紧凑的布局。宽广的工业级温度范围赋予其卓越的环境适应性。无论是提升现有产品的能效，还是攻克新项目中的功率密度难题，STL8DN6LF6AG都能让您的设计过程更轻松，最终产品更具竞争力。

• 型号:STL8DN6LF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:-
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 9.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL8DN6LF6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。