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您正在寻找一颗能扛起高压开关重任的“得力干将”吗？STP6NC60正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的漏源电压和6A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动等高压电路时信心十足。

它采用先进的PowerMESH II技术，实现了低至1.2欧姆的导通电阻，配合仅45.5nC的低栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升整体能效。其坚固的TO-220AB封装和150°C的最高结温，确保它在严苛环境下也能稳定工作，让您的产品更可靠、更耐用。

• 型号:STP6NC60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1020 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NC60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。