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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的核心功率开关吗？STL80N4LLF3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有80A的强大电流处理能力，而其惊人的5毫欧超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET技术和紧凑的PowerFlat封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了优异的散热性能。无论是应对高频率开关，还是承受持续的大电流负载，它都能稳定可靠地工作，大幅提升您产品的整体能效和功率密度。

• 型号:STL80N4LLF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL80N4LLF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。