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您是否正在寻找一颗能同时征服高效率、高功率密度和强鲁棒性挑战的功率开关？STW70N65M2正是为此而来。这颗650V、63A的N沟道MOSFET，凭借ST先进的MDmesh M2技术，为您带来低至46毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个参数出色的器件，更是您提升产品性能的得力助手。优化的栅极电荷和出色的开关特性，让您能轻松驾驭高频开关设计，在提升功率密度的同时，有效控制开关损耗。无论是面对工业电机驱动的严苛环境，还是追求极致效率的服务器电源，STW70N65M2都能提供稳定可靠的性能表现，助您简化设计，加速产品上市。

• 型号:STW70N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:46 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5140 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW70N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。