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您是否正在寻找一颗能扛起高电压重任，同时保持出色效率的功率开关？STF9NK90Z正是为此而生。这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和8A的连续电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动或PFC电路时，拥有充足的电压余量和电流处理能力，从容应对各种严苛工况。

它的卓越之处在于内在的优化。极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的完美平衡，直接为您带来更低的传导损耗和开关损耗。这意味着，您的系统运行起来更凉爽，能量转换更高效，整体能效显著提升。此外，其宽广的工作温度范围和坚固的TO-220FP封装，确保了长期运行的稳定性和可靠性，让您轻松构建出性能强劲且耐久的产品。

• 型号:STF9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。