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还在寻找一颗能兼顾高性能与小尺寸的功率开关吗？STL7N6F7正是为您而生的答案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和7A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅25毫欧），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，发热更少。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您能在极其紧凑的电路板上实现高功率密度设计。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让驱动变得异常轻松，简化您的电路设计。无论是提升现有产品的能效，还是为创新项目寻找核心动力，STL7N6F7都能以卓越的稳定性和性能，助您一臂之力，轻松应对各种严苛应用挑战。

• 型号:STL7N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• STL7N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。