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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛住大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？STL12P6F6正是为您而来的解决方案。这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭高达60V的电压和4A的连续电流，凭借其DeepGATE技术带来的超低160毫欧导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升您产品的整体能效和续航能力。

其创新的PowerFlat超薄封装，让您能在极其紧凑的电路板上实现强大的功率控制，完美应对便携设备、工具和汽车电子的空间挑战。同时，优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让驱动设计更简单，系统响应更迅捷。选择STL12P6F6，就是选择为您的设计注入高效、可靠与紧凑的核心竞争力。

• 型号:STL12P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12P6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。