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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STL7N60M2 N沟道功率MOSFET就是您的高效解决方案。它基于意法半导体成熟的MDmesh技术，集600V高压耐受、5A电流处理能力与卓越的开关性能于一身。

这颗芯片能让您轻松构建更高效、更紧凑的电源系统。其低至1.05欧姆的导通电阻和仅8.8nC的栅极电荷，显著降低了导通与开关损耗，直接帮助您提升整机效率并减少散热设计压力。采用节省空间的PowerFLAT封装，它非常适合用于开关电源、LED驱动及电机控制等应用，让您的设计在性能和体积上都更具优势。

• 型号:STL7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），67W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。