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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，且运行起来冷静又高效的核心功率开关吗？STW75N60DM6正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达72A的连续电流处理能力，专为应对严峻的工业级应用而打造。

它采用先进的MDmesh DM6技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源、电机驱动或UPS系统轻松实现更高的能效峰值。这意味着，您不仅能提升产品整体性能，还能有效减少散热需求，优化系统尺寸与成本。选择它，就是为您的设计注入一股强劲而可靠的动力源泉。

• 型号:STW75N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW75N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。