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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STB60N55F3正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（Rds(on)），能大幅减少功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让设备运行更节能、更凉爽。

它采用先进的STripFET III技术，开关特性优异，栅极驱动简单。无论是用于高效的DC-DC转换、电机控制，还是作为大功率负载开关，它都能让您的设计轻松应对高电流挑战，实现稳定可靠的性能输出。选择它，就是为您的产品选择了一份强大的动力保障。

• 型号:STB60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB60N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。