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还在为高压电源转换中的效率损失和发热问题烦恼吗？STP20NM65N就是您的高效解决方案！这颗来自意法半导体MDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和15A的连续电流能力，能轻松应对严苛的工业环境。

它的核心价值在于为您大幅提升能效。凭借仅270毫欧的低导通电阻，它能显著降低开关过程中的功率损耗，让更多的电能用于有效输出，而非转化为热量。这不仅让您的设备运行更凉爽、更稳定，还能帮助您轻松满足各类能效法规要求。同时，其坚固的TO-220封装和宽工作温度范围，确保了在电机驱动、电源适配器等应用中的长期可靠性。

选择STP20NM65N，意味着您选择了一种更智能、更高效的功率管理方式，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STP20NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1280 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。