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还在为高电流开关应用寻找一颗既强悍又小巧的“核心动力”吗？STL66DN3LLH5双N沟道MOSFET阵列，正是为您量身打造的解决方案。它集成了两颗高性能MOSFET，在仅30V的漏源电压下，能持续输出高达78.5A的电流，而其超低的6.5毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片采用先进的STripFET V技术，具备逻辑电平门驱动能力，让您能够轻松使用常见的MCU或驱动IC进行控制，简化设计。其出色的热性能（最高结温175°C）和汽车级（AEC-Q101）可靠性，确保它在严苛的工业与车载环境中稳定工作。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STL66DN3LLH5都能以紧凑的8-PowerVDFN封装，为您提供强大的功率处理能力和卓越的能效表现，助您轻松实现产品升级。

• 型号:STL66DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 78.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500pF @ 25V
• 功率 - 最大值:72W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL66DN3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。