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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关的功率开关管吗？STL7N80K5正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和仅1.2欧姆的低导通电阻，能显著降低您电源系统中的传导损耗和发热，让能量转换更加高效纯净。

它不仅仅参数亮眼，更懂您的设计挑战。极低的栅极电荷和输入电容，让驱动变得轻松，有助于提升开关频率，从而让您能够选用更小的变压器和电感，实现系统的小型化与轻量化。其创新的PowerFlat表面贴装封装，在节省电路板空间的同时，提供了出色的散热性能，轻松应对高达42W的功率耗散。

无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代高密度电源，STL7N80K5都能成为您可靠的核心动力。选择它，就是选择更高的效率、更紧凑的设计和更稳健的性能，助您轻松赢得市场先机。

• 型号:STL7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。