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还在为功率模块的体积、损耗和可靠性问题而困扰吗？让A1P50S65M2-F为您带来变革。这颗集成了先进沟槽型场截止IGBT与反并联二极管的功率模块，能轻松驾驭650V电压与50A电流，为您的高效电机驱动、工业变频或UPS应用提供强劲、紧凑的心脏。

它内置的NTC热敏电阻让您实时掌控温度，而低至2.3V的饱和压降则显著降低了导通损耗，直接提升系统能效。选择它，意味着您选择了一个高度集成、可靠耐用的解决方案，让您的产品设计更简单，性能更出众，在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:A1P50S65M2-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 功率 - 最大值:208 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1P50S65M2-F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。