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在追求极致能效的今天，一颗优秀的功率MOSFET能为您带来什么？STL5N80K5就是您的高效能量开关专家。它基于意法半导体先进的MDmesh K5技术打造，拥有800V的高耐压和仅1.75欧姆的低导通电阻，能显著降低您在高压开关应用中的导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高、发热更少。

这颗芯片能为您轻松应对高频开关挑战。其极低的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关切换，有效减少开关损耗，提升系统整体响应速度。同时，创新的PowerFlat VHV封装在实现超薄外形的同时，提供了出色的散热性能，让您能在紧凑的空间内布局大功率电路，完美平衡性能与体积。

• 型号:STL5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL5N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。