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您正在寻找一颗能在高压环境中既高效又可靠的功率开关吗？STL57N65M5正是为您而来。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，拥有650V的耐压和低至69毫欧的导通电阻，让您轻松实现更低的传导损耗和更高的系统效率。无论是处理持续的4.3A电流还是应对峰值功率，它都能稳定输出，显著降低温升。

这颗芯片的卓越之处还在于其快速的开关特性。极低的栅极电荷和优化的电容参数，让您的电路可以实现更高频率的开关，从而允许使用更小的磁性元件和滤波电容，帮助您大幅缩小产品体积、减轻重量并降低成本。其创新的PowerFlat HV封装，在提供出色散热性能的同时，实现了极高的功率密度，完美适配空间受限的现代电子设备。

总而言之，STL57N65M5是您提升电源能效、增强系统可靠性和实现产品小型化的理想选择。它将让您的设计工作变得更加轻松高效，直接为终端产品注入强大的市场竞争力。

• 型号:STL57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta），22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），189W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL57N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。