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您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关？STW35N60M2-EP正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和26A的连续电流能力，基于意法半导体成熟的MDmesh M2-EP技术，它能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效和功率密度。

采用坚固的TO-247通孔封装，它确保了出色的散热性能和机械可靠性，非常适合工业电机控制、服务器电源、UPS等要求严苛的应用。选择它，就是为您的系统核心注入一份稳定与高效，助力您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STW35N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW35N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。