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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持高效率与低发热的“硬核”器件吗？STP18NM60ND正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流处理能力，其核心价值在于让您的电源转换或电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

得益于FDmesh II技术的加持，它实现了低至290毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关损耗和传导损耗。这意味着您不仅能提升系统整体能效，还能简化散热设计，让产品在可靠性上更胜一筹。无论是用于工业电源、PC电源还是照明系统，它都能帮助您轻松构建高性能、高稳定性的功率级解决方案。

• 型号:STP18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。